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集成電路芯片維修中使用鋼網(wǎng)植錫的方法及注意事項(xiàng)

日期:2018/12/11 15:57:00

      集成電路是把電路中所需的晶體管(Q)、二極管(D)、電阻(R)、電容(C)和電感(L)等元器件及布線互相連接在一起,通過(guò)特殊的工藝制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體硅晶片或其他介質(zhì)基片上,然后封裝成為所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。

      把各種電路綜合在一起的集成電路可以大幅度的縮小元器件的體積,提高電子設(shè)備的裝配密度,大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路將成為未來(lái)芯片行業(yè)發(fā)展的主流。

      我們以智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)主板當(dāng)中廣泛應(yīng)用的BGA(球柵陣列封裝)為例詳細(xì)講述使用鋼網(wǎng)給BGA芯片植錫的全過(guò)程以及注意事項(xiàng)。


      1. 植錫網(wǎng)需清理干凈,上下兩個(gè)表面清洗,做到無(wú)錫球、無(wú)雜物、無(wú)助焊劑。使用無(wú)鉛洗板水配合小刷子清洗,清洗力度均勻,以免損壞植錫網(wǎng),每次植錫完成后都應(yīng)清洗植錫網(wǎng)。

      2. 錫漿的選用直接影響熱風(fēng)槍的溫度設(shè)定,錫漿分為低溫(138°C),常溫(183°C),高溫(228°C)三種,熱風(fēng)槍溫度設(shè)定為錫漿熔點(diǎn)溫度增加150°C左右為宜。

      3. 熱風(fēng)槍風(fēng)速不宜過(guò)大,應(yīng)設(shè)置在2—4檔位之間(以經(jīng)典的858系列螺旋風(fēng)熱風(fēng)槍為例),熱風(fēng)槍的風(fēng)速或溫度過(guò)高都會(huì)直接影響錫漿成球的效果,溫度過(guò)高會(huì)使錫漿直接沸騰而無(wú)法“成球”,風(fēng)速過(guò)快導(dǎo)致錫漿對(duì)溫度的吸收不充分。


      4. 涂鏟錫漿時(shí),錫漿水分不宜過(guò)大,水分過(guò)大在吹錫成球過(guò)程中水分受熱蒸發(fā)直接影響錫球的成形。

      5. 涂抹錫漿時(shí)力度要適中,涂錫漿的量不宜過(guò)多或過(guò)少,過(guò)多的涂抹錫漿會(huì)造成吹錫成球時(shí)錫漿直接冒出植錫網(wǎng)孔;過(guò)少的涂抹量將使成形的錫球不夠飽滿圓潤(rùn);錫漿剛好填滿網(wǎng)孔即可,這樣的涂抹量最為合適。

      6. 吹錫成球時(shí),熱風(fēng)槍?xiě)?yīng)側(cè)吹,依據(jù)芯片的大小選擇尺寸相近的熱風(fēng)槍風(fēng)嘴,最好去掉熱風(fēng)槍風(fēng)嘴,側(cè)斜方向吹錫成球。

      7. BGA芯片經(jīng)植錫網(wǎng)吹錫成球后,待冷卻10s—20s后,輕輕使用鑷子或振動(dòng)植錫網(wǎng)取下植錫完成后的芯片,然后給芯片加適量助焊劑,調(diào)高熱風(fēng)槍風(fēng)量和溫度,用防靜電鑷子適度夾緊芯片,熱風(fēng)槍直吹芯片,這樣可以讓每個(gè)成形的錫球歸位至自身焊盤(pán)位置,錫球顏色變?yōu)榱涟足y色即可。助焊劑的活性溫度為320°C左右,把控?zé)犸L(fēng)槍出風(fēng)口溫度、風(fēng)嘴與芯片距離、加熱時(shí)間、電路板散熱情況等因素才能使助焊劑發(fā)揮最大作用。

      8. 處理芯片焊盤(pán)時(shí),電烙鐵配合助焊劑,烙鐵溫度在360°C左右,電烙鐵頭輕輕“浮”于焊盤(pán)上方,切勿用力過(guò)猛損壞焊盤(pán)。

      9. 芯片除去周圍黑膠時(shí),利用熱風(fēng)槍和小號(hào)手術(shù)刀配合,熱風(fēng)槍間隔給芯片周圍加熱,用手術(shù)刀刀背或刀尖一點(diǎn)點(diǎn)向上挑起芯片周圍黑膠。電路板焊盤(pán)上的黑膠也可以使用手術(shù)刀刀背輕輕刮除,切記力度不宜過(guò)大。

      10. 除膠或者多余錫時(shí),注意電路板降溫以及保護(hù)周圍芯片、元器件不受損傷。

      11. 涂抹錫漿、用熱風(fēng)槍加熱涂抹完成的錫漿表面時(shí),請(qǐng)?zhí)貏e注意按壓植錫網(wǎng)力度,力圖做到植錫板與芯片完全接觸無(wú)多余的縫隙。

      有關(guān)更多關(guān)于熱風(fēng)槍的使用,鋼網(wǎng)植錫,環(huán)保錫線,環(huán)保錫膏的知識(shí)請(qǐng)登錄倍思特官網(wǎng):
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